Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Femi-Oyetoro J$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Femi-Oyetoro J. D. 
Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [Електронний ресурс] / J. D. Femi-Oyetoro, O. E. Oyewande // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01002-1-01002-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_4
One of the major challenges in ion implantation and sputtering process (especially in thin film deposition) is to get a shallow or very deep profile and maximum sputtering yield respectively. In this paper, we simulate the projected range, lateral straggle, longitudinal straggle and sputtering yield of inert gas ions (He<^>+, Ne<^>+, Ar<^>+, Kr<^>+, Xe<^>+, Rn<^>+) impinged in group IV elements (C, Si, Ge, Sn, Pb), InP and GaAs against different parameters (ion energy and angle of incident ion), using the TRIM Monte-Carlo Code as embedded in SRIM. In particular, we generated a result on the consistency of the projected range, lateral and longitudinal straggle with the angle of incident ion using ion energies 1 KeV and 10 KeV. However an inconsistency exists in the sputtering yield and we noticed that maximum sputtering yield occurs for certain incident angle. In conclusion, the results presented here provides parameters needed to get low or high projected range and straggling, and also the exact incident angle needed in getting the maximum sputtering yield for the ion-target combinations used.
Попередній перегляд:   Завантажити - 272.796 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського